Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD053N08N3GBTMA1
MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD053N08N3G
IPD053N08N3GBTMA1 Hakkında
IPD053N08N3GBTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilimi ve 90A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 5.3mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı paket ile kompakt devre tasarımına uygun hale getirilmiştir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 150W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir. Güç dönüştürme, motor kontrol, anahtarlama uygulamaları ve genel endüstriyel elektronik devrelerinde kullanıma uygundur. 10V gate sürücü gerilimi ile kolay entegrasyonu destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 69 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4750 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.3mOhm @ 90A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 90µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok