Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD053N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD053N08N3
IPD053N08N3GATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPD053N08N3GATMA1, N-kanal MOSFET transistörüdür. 80V drain-source gerilim sınırlaması ve 90A sürekli akım kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 5.3mΩ on-resistance değeri ile verimli anahtarlama sağlar. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrolü, güç dönüştürücüler, LED sürücüler ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda yer alır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilmesi geniş sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. 150W maksimum güç kaybı toleransı ile yoğun yük koşullarında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 69 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4750 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.3mOhm @ 90A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 90µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok