Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD050N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD050N10N5
IPD050N10N5ATMA1 Hakkında
IPD050N10N5ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 100V drain-source gerilim kapasitesi ve 80A sürekli drenaj akımı ile güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlama devreleri ve elektrik tren uygulamalarında kullanılır. 5mΩ (10V, 40A'de) düşük RDS(on) değeri ısıl kaybı minimize ederek verimlilik sağlar. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışır ve 150W güç dağıtabilir. 64nC gate charge ve 4700pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama performansı ve düşük sürücü gereksinimini gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4700 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 40A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 84µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok