Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD050N03LGBTMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD050N03L
IPD050N03LGBTMA1 Hakkında
IPD050N03LGBTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 50A sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek akım uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, düşük 5mΩ on-resistance değeri sayesinde güç kaybını minimalize eder. Motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler, anahtarlama uygulamaları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile +175°C arasında çalışan geniş sıcaklık aralığı ve 68W maksimum güç dağılım kapasitesi ile sağlam bir tasarım sunar. Hızlı anahtarlama performansı için 31nC gate charge değerine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3200 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 68W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok