Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD050N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD050N03LG
IPD050N03LGATMA1 Hakkında
IPD050N03LGATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilim ve 50A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, düşük 5mOhm on-state direnci ile verimli güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında, güç kaynakları, motor kontrol, LED driveleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 31nC gate charge ve 3200pF input capacitance değerleriyle hızlı komütasyon özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3200 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 68W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok