Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD048N06L3GBTMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD048N06L3
IPD048N06L3GBTMA1 Hakkında
IPD048N06L3GBTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 60V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 90A sürekli dren akımı (Id) kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu komponentin maksimum Rds(on) değeri 4.8mΩ (10V, 90A koşullarında) olup, düşük iletim kayıpları sağlar. 50nC gate charge ve 8400pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama performansı sunar. -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklık aralığında 115W maksimum güç yayınlayabilir. Motor kontrolleri, DC-DC konvertörleri, güç kaynakları ve ağır yük anahtarlaması gereken endüstriyel elektronik sistemlerde yaygın olarak kullanılır. Not: Bu ürün obsolete (üretimi durdurulmuş) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8400 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 115W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8mOhm @ 90A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 58µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok