Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD046N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD046N08N5
IPD046N08N5ATMA1 Hakkında
IPD046N08N5ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilimi ve 90A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. 4.6mΩ düşük RDS(on) değeri ısıl kaybı minimize eder. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışır ve 125W maksimum güç dağıtabilir. 10V gate-source geriliminde 53nC gate yükü karakteristiği hızlı komütasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3800 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6mOhm @ 45A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 65µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok