Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD042P03L3GBTMA1
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD042P03L3
IPD042P03L3GBTMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPD042P03L3GBTMA1, P-Channel MOSFET transistörüdür. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 30V drain-source gerilimi ve 70A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. Rds(on) değeri 4.2mΩ ile düşük iletim direnci sağlayarak enerji kaybını minimuma indirir. Gate eşik gerilimi 2V, maksimum kapı-kaynak gerilimi ±20V'dur. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu MOSFET, güç yönetimi uygulamaları, motor kontrolü, anahtarlama devreleri ve elektrik araçları gibi endüstriyel uygulamalarda kullanılır. 150W güç tüketim kapasitesi ile yüksek akım anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. Not: Digi-Key'de üretim durdurulmuştur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 70A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 175 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 12400 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 70A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 270µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok