Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD038N04NGBTMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD038N04NG
IPD038N04NGBTMA1 Hakkında
IPD038N04NGBTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltajı ve 90A sürekli dren akımı ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. 3.8mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, DC-DC konvertörler, motor sürücüleri, güç kaynakları ve yüksek akımlı anahtar uygulamalarında yer alır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. 10V gate sürme voltajında optimal performans gösterir. Bileşen obsolete durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4500 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 94W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8mOhm @ 90A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 45µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok