Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD036N04LGATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-31
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD036N04LG
IPD036N04LGATMA1 Hakkında
IPD036N04LGATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source gerilimi ve 90A sürekli drenaj akımı özelliğine sahiptir. 3.6mΩ düşük on-state direnci ile düşük ısı kaybı sağlar. TO-252-3 (DPak) yüzey monte paketi ile kompakt tasarımlara uyum gösterir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 94W güç disipasyonu kapasitesine sahiptir. Güç dönüştürücüleri, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak kullanılır. Gate şarj değeri 78nC ve düşük giriş kapasitanslı yapısı ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 78 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6300 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 94W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6mOhm @ 90A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 45µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok