Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD035N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD035N06L3
IPD035N06L3GATMA1 Hakkında
IPD035N06L3GATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 90A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç yönetimi, motor kontrol, değiştirici (switching) uygulamaları ve güç dönüştürücülerinde kullanılır. TO-252 (DPak) SMD paketinde sunulan bileşen, 3.5mΩ RDS(on) değeriyle düşük kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklığında tercih edilir. Yüksek anahtarlama hızı ve düşük kapı yükü özellikleri sayesinde verimli devrelerde konumlandırılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 79 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13000 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 167W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 90A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 93µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok