Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD034N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD034N06N3G
IPD034N06N3GATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPD034N06N3GATMA1, 60V drain-source gerilim ve 100A sürekli akım kapasitesine sahip N-channel MOSFET'tir. TO-252 (DPak) SMD paketinde sunulan bu transistör, 3.4mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük dirençli anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 167W maksimum güç dağılım kapasitesi, -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ve ±20V maksimum gate gerilimi ile güç kaynakları, motor kontrol devresi, DC-DC dönüştürücüler ve yüksek akım anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 130nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özellikleri sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11000 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 167W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 93µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok