Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD025N06NATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD025N06NATMA1
IPD025N06NATMA1 Hakkında
IPD025N06NATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltaj kapasitesi ile 90A sürekli drain akımı sağlayabilen bu bileşen, 2.5mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. TO-252-3 (DPak) paket türünde sunulan komponentin ±20V gate voltaj aralığı ve -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında kullanımını mümkün kılar. Düşük gating gereksinimlerine (71nC maksimum gate charge) ve yüksek güç dağılım kapasitesine (167W Tc'de) sahiptir. Anahtar modunda (switching) ve doğrusal uygulamalarda, motor kontrolü, LED sürücüleri ve güç kaynağı uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 71 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5200 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 167W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5mOhm @ 90A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 95µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok