Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPC90N04S5L3R3ATMA1

MOSFET N-CH 40V 90A 8TDSON-34

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
IPC90N04S5L3R3

IPC90N04S5L3R3ATMA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IPC90N04S5L3R3ATMA1, 40V drain-source gerilimi ve 90A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-channel MOSFET transistörüdür. 8-PowerTDFN (PG-TDSON-8-34) paketinde sunulan bu bileşen, 3.3mΩ maksimum drain-source direnci ile düşük güç kaybı sağlar. 62W maksimum güç tüketimi ve 40nC gate charge özelliği ile güç dönüştürme, motor kontrol, LED sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanıma uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olan bu MOSFET, ±16V maksimum gate-source gerilimine dayanıklıdır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2145 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 62W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 45A, 10V
Supplier Device Package PG-TDSON-8-34
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 23µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok