Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPC90N04S53R6ATMA1
MOSFET_(20V,40V)
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPC90N04S53R6
IPC90N04S53R6ATMA1 Hakkında
IPC90N04S53R6ATMA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source voltajında 90A sürekli drenaj akımı sağlayan bu bileşen, düşük açık direnç (RDS On) değeri ile elektrik kaybını minimize eder. 8-PowerTDFN yüzey montaj paketinde sunulan transistör, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, LED sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen cihaz, maksimum 63W güç tüketebilir. 10V kapı voltajında 3.6mΩ açık direnci ile verimli anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1950 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 63W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6mOhm @ 45A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-34 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.4V @ 23µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok