Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPC80N04S403ATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TDSON-8-23
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPC80N04S403AT
IPC80N04S403ATMA1 Hakkında
IPC80N04S403ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source voltaj (Vdss) ve 80A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 3.3mΩ maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybında çalışır. TDSON-8-23 paket tipi ile yüksek yoğunluklu PCB uygulamalarına uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Motor kontrol, güç kaynakları, anahtarlama uygulamaları ve güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak kullanılır. 100W maksimum güç dissipasyonu ile endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 71 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5720 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3mOhm @ 40A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-23 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 60µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok