Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPC70N04S54R6ATMA1
MOSFET N-CH 40V 70A 8TDSON-34
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPC70N04S54R6ATMA1
IPC70N04S54R6ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPC70N04S54R6ATMA1, 40V drain-source gerilimi ve 70A sürekli drain akımı ile çalışan N-channel MOSFET transistördür. 8-PowerTDFN paket tipinde sunulan bu komponent, 4.6mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu FET, güç dönüştürücüleri, motor kontrol devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve anahtarlı güç kaynakları tasarımlarında kullanılır. Yüksek hız anahtarlama uygulamaları için optimize edilmiş gate charge ve kapasitans değerleriyle sunulmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 70A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1430 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6mOhm @ 35A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-34 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.4V @ 17µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok