Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPC50N04S55R8ATMA1
MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPC50N04S55R8
IPC50N04S55R8ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies IPC50N04S55R8ATMA1, 40V drain-source voltaj ile tasarlanmış N-Channel power MOSFET'tir. 50A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile düşük endüstriyel ve ticari uygulamalarda anahtarlama işlevlerinde kullanılır. 5.8mOhm RDS(on) değeri ile enerji kaybı minimize edilmekte, 175°C'ye kadar yüksek sıcaklık ortamında çalışabilmektedir. Surface mount 8-PowerTDFN paketinde sunulan bu transistör, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetim devreleri, motor kontrol uygulamaları ve anahtarlama güç kaynakları gibi alanlarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1090 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.8mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-33 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.4V @ 13µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok