Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPC302N20NFDX1SA1
MOSFET N-CH 200V 1A SAWN ON FOIL
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPC302N20NFDX1SA1
IPC302N20NFDX1SA1 Hakkında
IPC302N20NFDX1SA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source voltajı ve 1A maksimum drain akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 10V gate-source voltajında 100mOhm düşük on-direnç (Rds On) sağlar. Surface mount die paket türü ile kompakt tasarımlara uygun hale getirilmiştir. Anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrolü ve şarj yönetimi sistemlerinde tercih edilir. 4V threshold voltajı ile hızlı anahtarlama karakteristiği sunar. Sawn on foil paketlemesi özel uygulamalar için tasarlanmıştır. Discontinued durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Market |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | Sawn on foil |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 270µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok