Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPC100N04S5L2R6ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPC100N04S5L2R6ATMA1
IPC100N04S5L2R6ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPC100N04S5L2R6ATMA1, 40V drain-source gerilimi ve 100A sürekli dren akımı kapasitesine sahip N-channel MOSFET transistördür. 2.6 mΩ düşük Rds(on) değeri ile verimli güç anahtarlaması sağlar. 8-PowerTDFN pakette sunulan bu komponent, DC-DC konvertörler, güç yönetimi devreler, motor sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bileşen, 75W maksimum güç dağıtım kapasitesine ve 55 nC gate charge değerine sahiptir. Surface mount montajına uygun tasarımı ile kompakt elektronik tasarımlarına entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2925 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 75W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-34 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 30µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok