Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPC100N04S5L1R1ATMA1

MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
IPC100N04S5L1R1

IPC100N04S5L1R1ATMA1 Hakkında

IPC100N04S5L1R1ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltajı ve 100A sürekli drenaj akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. Düşük 1.1mOhm (Rds On) değeri ile enerji verimliliği sağlar. 8-PowerTDFN paket tipi ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarında yer tasarrufu sunar. DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri, güç dağıtım sistemleri ve endüstriyel kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 175°C arası geniş çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8250 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package PG-TDSON-8-34
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 90µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok