Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPC100N04S52R8ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPC100N04S52R8
IPC100N04S52R8ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPC100N04S52R8ATMA1, 40V drain-source gerilimi ve 100A sürekli drain akımına sahip N-Channel MOSFET transistörüdür. 8-PowerTDFN paket içerisinde sunulan bu komponent, 2.8mΩ maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç dönüştürücüleri ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. 45nC gate charge ve 2600pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama performansı ve düşük sürücü gerilimi gereksinimleri ile tasarlanmıştır. Surface mount montajı ile kompakt tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2600 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 75W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-34 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.4V @ 30µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok