Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPC100N04S51R9ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPC100N04S51R9
IPC100N04S51R9ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPC100N04S51R9ATMA1, 40V drain-source gerilimi ve 100A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bir N-Channel MOSFET transistörüdür. Surface mount 8-PowerTDFN paketinde sunulan bu bileşen, düşük açık direnci (Rds On: 1.9mΩ @ 50A, 10V) ve hızlı anahtarlama özellikleri sayesinde güç elektroniği uygulamalarında kullanılır. Motor sürücüleri, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve yük anahtarlama devreleri gibi yüksek akım gerektiren sistemlerde tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, 100W'a kadar güç tüketebilir ve 3.4V eşik gerilimi ile düşük sürücü gerilimleriyle uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3770 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-34 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.4V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok