Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPC100N04S51R2ATMA1

MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
IPC100N04S51R2ATMA1

IPC100N04S51R2ATMA1 Hakkında

Infineon Technologies IPC100N04S51R2ATMA1, 40V drain-source geriliminde 100A sürekli dren akımı sağlayan N-Channel MOSFET transistörüdür. 8-PowerTDFN paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-direnç (Rds On: 1.2mOhm @ 50A, 10V) ile verimli güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 150W güç dağılımı kapasitesi ile DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri, güç kaynakları ve yük anahtarlaması devrelerinde tercih edilir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu transistör, hızlı anahtarlama karakteristiği ve düşük kaptan yükü (131nC @ 10V) sayesinde yüksek frekanslı uygulamalarda etkindir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7650 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package PG-TDSON-8-34
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.4V @ 90µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok