Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPBH6N03LA G
MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPBH6N03LA
IPBH6N03LA G Hakkında
IPBH6N03LA G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V Drain-Source gerilimi (Vdss) ile 50A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 6.2mΩ (10V, 50A) maksimum on-resistance değeri ile düşük geçiş kayıpları sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklık aralığında 71W güç dağıtabilir. Endüstriyel uygulamalar, motor kontrol, güç dönüştürme devreleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. Maksimum ±20V gate gerilimi ile çalışır ve 2V threshold gerilimi özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2390 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 71W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.2mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 30µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok