Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPBE65R230CFD7AATMA1
MOSFET N-CH 650V 11A TO263-7
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPBE65R230CFD7AA
IPBE65R230CFD7AATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPBE65R230CFD7AATMA1, N-kanal MOSFET transistördür. 650V drain-source voltajı ve 11A sürekli drain akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. 230mΩ maksimum kanal direnci (Rds(on)) ve TO-263-7 (D²Pak) yüzey montajlı paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. -40°C ile 150°C arasında çalışır. Güç kaynakları, motor kontrol, invertörler ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 10V gate drive voltajında 23nC gate charge ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1044 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 63W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 230mOhm @ 5.2A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-7-3-10 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 260µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok