Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPBE65R145CFD7AATMA1
AUTOMOTIVE PG-TO263-7
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPBE65R145CFD7AA
IPBE65R145CFD7AATMA1 Hakkında
IPBE65R145CFD7AATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilim ve 17A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 145mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Otomotiv standartlarına uygun PG-TO263-7 paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç yönetimi, aydınlatma sistemleri ve enerji dönüştürme devrelerinde yer alır. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. 36nC gate charge ve düşük input kapasitansi (1694pF@400V) ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1694 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 98W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 145mOhm @ 8.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-7-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 420µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok