Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPBE65R115CFD7AATMA1
AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-7
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPBE65R115CFD7AATMA1
IPBE65R115CFD7AATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPBE65R115CFD7AATMA1, 650V Drain-Source geriliminde çalışan N-Channel MOSFET transistördür. 21A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 115mΩ (10V, 9.7A) maksimum açık durumu direnci (Rds On) ile verimli çalışma sağlar. TO-263-8 paketinde sunulan bu komponent, özellikle otomotiv uygulamalarında (CoolMOS teknolojisi) görülen güç dönüştürücüler, anahtarlamalar ve motor kontrol devrelerinde tercih edilir. -40°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında 114W maksimum güç dağıtabilir. Surface mount montajı ile kompakt tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1950 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 114W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115mOhm @ 9.7A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-7-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 490µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok