Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPBE65R099CFD7AATMA1
MOSFET N-CH 650V 24A TO263-7
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPBE65R099CFD7AA
IPBE65R099CFD7AATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPBE65R099CFD7AATMA1, 650V drain-source gerilimi ve 24A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-channel MOSFET transistördür. TO-263-7 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 99mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -40°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 127W güç dissipasyonuna dayanır. Yüksek voltaj uygulamaları, anahtarlama devreleri, güç dönüştürücüler ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. 53nC gate charge ve düşük input kapasitansı (2513pF @ 400V) ile hızlı switching karakteristiğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2513 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 127W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99mOhm @ 12.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-7-3-10 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 630µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok