Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPBE65R050CFD7AATMA1
MOSFET N-CH 650V 45A TO263-7
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPBE65R050CFD7
IPBE65R050CFD7AATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPBE65R050CFD7AATMA1, 650V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılan N-Channel MOSFET transistördür. 45A sürekli drain akımı ve 50mOhm maksimum RDS(on) değeri ile güç dönüştürme devrelerinde düşük kayıp sağlar. 227W güç yayılma kapasitesi, -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ve TO-263-7 (D²Pak) paketlemesi, endüstriyel invertör, sunucu psu, ön-şartı dahil (PFC) devreleri ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 102nC gate charge ve düşük input kapasitansi ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 45A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 102 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4975 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 227W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 24.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-7-3-10 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.24mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok