Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPB90R340C3ATMA1

MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IPB90R340C3

IPB90R340C3ATMA1 Hakkında

IPB90R340C3ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 900V N-Channel MOSFET transistördür. 15A sürekli dren akımı kapasitesi ve 340mΩ on-state direnci ile yüksek gerilim uygulamalarında anahtarlama işlevi gerçekleştirir. ±20V kapı gerilimi aralığında çalışır. Surface mount D²PAK paketinde sunulan bu transistör, 208W maksimum güç saçıtma kapasitesine sahiptir. Endüstriyel güç dönüştürücüler, SMPS devreleri, motor kontrol uygulamaları ve yüksek gerilim anahtarlama devrelerinde kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasında güvenli çalışma sağlar. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2400 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 340mOhm @ 9.2A, 10V
Supplier Device Package PG-TO263-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok