Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB90N06S4L04ATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB90N06S4L04
IPB90N06S4L04ATMA1 Hakkında
IPB90N06S4L04ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel güç MOSFET'idir. 60V drain-source gerilim dayanımı ve 90A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 3.4mΩ Rds(on) değeri ile enerji kaybını minimize eder. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu transistör, güç dönüştürücüler, motor kontrolü, LED sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığı geniş ortam koşullarında güvenilir çalışma sağlar. 170nC gate charge ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. Üretim durumu: Digi-Key'de kullanımdan kaldırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 170 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4mOhm @ 90A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 90µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok