Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB90N06S404ATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB90N06S404ATMA1
IPB90N06S404ATMA1 Hakkında
IPB90N06S404ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 90A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmaya tasarlanmıştır. 3.7mOhm düşük on-state direnç ile enerji kaybını azaltır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme devreleri, motor sürücüleri, enerji kaynakları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı ve 150W maksimum güç dağıtımı kapasitesi sayesinde zorlu ortamlarda güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 128 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7mOhm @ 90A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 90µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok