Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB90N04S402ATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB90N04S402ATMA1
IPB90N04S402ATMA1 Hakkında
IPB90N04S402ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel güç MOSFET'idir. 40V drain-source gerilimi ve 90A sürekli drenaj akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. Düşük RDS(on) değeri (2.1mΩ @ 90A, 10V) ile enerji kaybını minimize eder. D2PAK (TO-263) yüzey montajlı paket, kompakt tasarımlar için uygundur. Güç yönetimi, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler, switch-mode güç kaynakları ve endüstriyel sürücü uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir ve 150W güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 118 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9430 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1mOhm @ 90A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 95µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok