Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB80R290C3AATMA2
MOSFET N-CH 800V 17A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB80R290C3
IPB80R290C3AATMA2 Hakkında
IPB80R290C3AATMA2, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilim (Vdss) ve 17A sürekli dren akımı (Id) kapasitesine sahiptir. 290mΩ on-state direnci (Rds On) ile düşük enerji kaybında çalışır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme, anahtarlama uygulamaları, invertörler, motor sürücüleri ve yüksek gerilim anahtarlama devrelerinde kullanılır. -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir ve 227W güç üreteç kapasitesi bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 117 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2300 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 227W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok