Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB80P04P4L08ATMA1
MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB80P04P4L08
IPB80P04P4L08ATMA1 Hakkında
IPB80P04P4L08ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilim kapasitesi ve 80A sürekli drenaj akımı ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 7.9mΩ maksimum Rds(on) değeri düşük ısı kaybı sağlar. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Motor kontrolleri, güç dönüştürücüleri, batarya yönetimi sistemleri ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Bununla birlikte, Part Status değeri yeni tasarımlar için önerilmediğini göstermektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 92 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5430 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 75W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.9mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 120µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok