Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB80P04P4L06ATMA2
MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB80P04P4L06ATMA2
IPB80P04P4L06ATMA2 Hakkında
IPB80P04P4L06ATMA2, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 80A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç yönetimi, motor sürücüsü, anahtarlama uygulamaları ve güç kaynağı devrelerinde kullanılır. 6.7mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketi içinde sunulan bu transistör, -55°C ile +175°C arasında çalışır ve 88W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir. Hızlı anahtarlama özellikleri ve düşük kapasitans değerleri ile yüksek frekanslı uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 104 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6580 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 88W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.7mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +5V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 150µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok