Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB80P04P4L06ATMA1
MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB80P04P4L06ATMA1
IPB80P04P4L06ATMA1 Hakkında
IPB80P04P4L06ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 40V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ile 80A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 6.4mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalarda kullanılır. -55°C ile +175°C arasında çalışan bu transistör, güç anahtarlama, motor kontrol, güç dönüştürücü ve batarya yönetim sistemleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 10V gate sürücü geriliminde 104nC kapasitif yük özellikleri ile kontrol devreleri tasarımında dikkate alınmalıdır. Maksimum 88W güç tüketimi ve ±16V maksimum gate gerilimi limitleri içindedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 104 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6580 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 88W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.4mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 150µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok