Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB80P04P405ATMA2
MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB80P04P405
IPB80P04P405ATMA2 Hakkında
IPB80P04P405ATMA2, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source geriliminde 80A sürekli akım kapasitesine sahip olup, 5.2mΩ on-resistance değeriyle düşük kayıp uygulamalar için uygundur. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi devrelerinde, motor kontrol uygulamalarında, DC/DC dönüştürücülerde ve elektronik anahtarlama sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilmesi, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarını destekler. 125W maksimum güç tüketimi ile yüksek akım gerektiren devrelerin anahtarlanması için tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 151 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10300 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok