Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB80P03P4L07ATMA2
MOSFET_(20V 40V) PG-TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB80P03P4L07
IPB80P03P4L07ATMA2 Hakkında
IPB80P03P4L07ATMA2, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 80A sürekli drain akımı ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılmaya tasarlanmıştır. 6.9mΩ düşük RDS(on) değeri ile ısıl kayıpları minimize eder. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrolü ve batarya yönetimi sistemlerinde uygulanır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. 10V gate voltajında 80nC kapı yükü ve 5700pF giriş kapasitansına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5700 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 88W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.9mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +5V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 130µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok