Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB80P03P4L04ATMA2
MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB80P03P4L04ATMA2
IPB80P03P4L04ATMA2 Hakkında
IPB80P03P4L04ATMA2, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj ve 80A sürekli akım kapasitesine sahip bu bileşen, TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 4.4mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans verir. 160nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. Güç dönüştürme uygulamaları, motor kontrolü, DC-DC konvertörler ve batarya yönetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. Maksimum 137W güç dağıtabilme kapasitesi ile endüstriyel ve mobil uygulamalara uygun bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 160 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11300 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 137W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +5V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 253µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok