Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB80P03P405ATMA2
MOSFET_(20V 40V) PG-TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB80P03P405ATMA2
IPB80P03P405ATMA2 Hakkında
IPB80P03P405ATMA2, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ve 80A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 4.7mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. TO-263-3 (D²Pak) yüzey monte paket içinde sunulur. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Güç yönetimi uygulamalarında, motor sürücü devreleri, battery management sistemleri ve switching regülatörlerde yaygın olarak kullanılır. 10V gate sürücü gerilimi ile uyumludur ve maksimum 137W güç tüketebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10300 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 137W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 253µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok