Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB80P03P405ATMA1
MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB80P03P405ATMA1
IPB80P03P405ATMA1 Hakkında
IPB80P03P405ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajında 80A sürekli drenaj akımı sağlayan bu bileşen, TO-263-3 (D²Pak) yüzeye monte paketinde sunulmaktadır. 4.7mOhm RDS(on) değeri ile düşük konduktans kaybı sunar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Güç elektronikleri uygulamalarında, anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç kaynakları ve ters polarite koruması gibi alanlarda kullanılır. 10V gate sürücü voltajında en yüksek 130nC kapı yükü ve 10300pF giriş kapasitansına sahiptir. Not For New Designs statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10300 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 137W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 253µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok