Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB80P03P4-05ATMA1
P-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB80P03P4
IPB80P03P4-05ATMA1 Hakkında
IPB80P03P4-05ATMA1, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel Power MOSFET transistördür. 80A sürekli dren akımı ve 30V dren-kaynak voltajı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 4.7mΩ üzerindeki düşük on-direnci sayesinde ısıl kayıpları minimize eder. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç dönüştürücüler, anahtarlama devreleri ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilmesi geniş sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar. 137W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile zorlu şartlarda dahi kullanıma uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10300 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 137W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 253µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok