Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB80N08S406ATMA1
MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB80N08S406A
IPB80N08S406ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPB80N08S406ATMA1, 80V/80A kapasitesine sahip N-Channel Metal Oxide FET transistördür. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu MOSFET, 5.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen ve 150W maksimum güç tüketimi özelliğine sahip bu bileşen, güç dönüştürme devreleri, motor sürücüleri, anahtarlamalı güç kaynakları ve endüstriyel uygulamalarda kullanılan bir yüksek akım transistördür. 70nC gate charge değeri ve hızlı anahtarlama özelliği sayesinde verimli enerji yönetimi sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4800 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 90µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok