Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB80N08S2L07ATMA1
MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB80N08S2L07
IPB80N08S2L07ATMA1 Hakkında
IPB80N08S2L07ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 75V maksimum drain-source gerilimi ve 80A sürekli drain akımı ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 6.8mOhm (10V, 80A) açık kanal direnci ile yüksek akım anahtarlaması gerektiren devrelerde tercih edilir. Düşük gate charge (233nC @ 10V) hızlı komütasyon özelliği sağlar. TO-263-3 (D²Pak) Surface Mount paketinde sunulan bileşen, endüstriyel sürücüler, güç yönetimi modülleri, motor kontrol uygulamaları ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi alanlarda kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında 300W güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 233 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.8mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok