Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB80N06S4L05ATMA2
MOSFET_)40V,60V)
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB80N06S4L05
IPB80N06S4L05ATMA2 Hakkında
IPB80N06S4L05ATMA2, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V Drain-Source gerilimi (Vdss) ve 80A sürekli dren akımı (Id) kapasitesine sahiptir. 5.1mΩ maksimum açık direnç (Rds On) ile düşük güç kaybında yüksek anahtarlama hızı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenli çalışır ve 107W güç yayılımına kapasite sahiptir. TO-263 (D²Pak) surface mount paketinde tasarlanmıştır. Motor kontrol, güç yönetimi, anahtarlama güç kaynakları ve endüstriyel uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8180 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 107W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.1mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 60µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok