Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB80N06S4L05ATMA2
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB80N06S4L05
IPB80N06S4L05ATMA2 Hakkında
IPB80N06S4L05ATMA2, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 80A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 5.1mΩ (10V, 80A'da) düşük on-resistance değeri ile ısı kaybı minimalize edilir. TO-263-3 (D²Pak) yüzey monte paketinde sunulur. -55°C ile 175°C arasında çalışır. Anahtarlama güç kaynakları, motor sürücüleri, DC-DC konverterler ve güç dağıtım sistemlerinde uygulanır. 110nC gate charge ve 8180pF input capacitance özellikleri ile hızlı komütasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8180 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 107W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.1mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 60µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok