Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB80N06S2LH5
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB80N06S2LH5
IPB80N06S2LH5 Hakkında
IPB80N06S2LH5, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 80A sürekli dren akımı ve 55V drain-source gerilimi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 4.7mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajı paketinde sunulur ve -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. SMPS (Switched-Mode Power Supply), motor kontrol devreleri, DC-DC konverterler ve güç yönetim uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. 300W maksimum güç disipasyonu kapasitesi ile uygun soğutma koşullarında zorlu endüstriyel ortamlarda güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 190 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok