Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB80N06S2L07ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB80N06S2L07
IPB80N06S2L07ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPB80N06S2L07ATMA1, 55V drain-source gerilimi ve 80A sürekli drain akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketi ile sunulan bu bileşen, 6.7mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen ve 210W güç yayılabilme kapasitesine sahip bu transistör, güç yönetimi uygulamaları, motor sürücüleri, değiştirici devreleri ve güç kaynağı tasarımlarında kullanılır. 130nC gate charge ve 3160pF input capacitance karakteristikleri ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3160 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 210W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.7mOhm @ 60A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 150µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok